主要特点: · 显示半导体器件的各种特性曲线 · 测量半导体器件静态参数 · 测量半导体器件极限参数 · 双极型晶体管双簇显示
主要技术指标: 产品名称 半导体特性图示仪 尺寸重量 320×240×420（高×宽×深）16kg 用电电源 220V±10％ ·Y轴集电极电流范围(IC)：10μA/div～0.5A/div分15档，误差不超过±5%·二极管反向漏电流(IR)：0.2μA/div～5μA/div分5档·IR accuracy：2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%·X轴集电极电压范围(Vce)：0.1V/div～50V/div分9档，误差不超过±5%·基极电压范围(Vbe)：0.1V/div～5V/div分6档，误差不超过±5%·阶梯电流范围：阶梯电流范围0.1μA/级～50mA/级 分18档，1μA/级～50mA/级 误差不超过±5%，0.1μA/级～0.5μA/级 误差不超过±7%·阶梯电压范围：0.05V//级～1V/级 分5档 误差不超过±5%·串联电阻：10Ω、10kΩ、0.1MΩ分3档 误差不超过±10%·校正信号：0.5Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率）